YQAG1116LX

YQAG1116LX

— этосиловой MOSFET с N-каналом обогащённого типа. Ключевое изделие, разработанное для высокоэффективных силовых приложений с высокой плотностью мощности.

YQAG1116LX использует передовую траншейную технологию и оптимизированную конструкцию кристалла N-канального MOSFET. Основные цели разработки — сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии, отличные коммутационные характеристики и высокая энергоэффективность, что делает прибор особенно подходящим для синхронного выпрямления и коммутационных схем с жёсткими требованиями к КПД и тепловому режиму.

Ключевые особенности

• Тип канала: N-канал. Открывается при подаче положительного напряжения на затвор (G) относительно истока (S), что подходит для коммутации нижнего плеча и синхронного выпрямления.
  
• Сверхнизкое сопротивление канала: типичное значение Rds(on) около 1,6 мОм (макс. ~2,0 мОм) при Vgs=10 В; при Vgs=4,5 В остаётся на уровне ~2,0 мОм, снижая потери проводимости и повышая КПД системы.
  
• Высокий длительный ток стока: способен выдерживать +100 А и более (в зависимости от условий испытаний, например Tc), демонстрируя высокую мощностную нагрузочную способность.
  
• Отличные коммутационные характеристики: низкий заряд затвора и малое время включения/выключения, подходит для высокочастотных импульсных источников питания, эффективно снижая коммутационные потери.
  
• Корпус: DFN5x6-8L или аналогичный современный корпус для поверхностного монтажа.
  

Основные области применения

• Синхронное выпрямление (AC-DC адаптеры, серверные блоки питания, телекоммуникационные источники питания и т. д.)
  
• Понижающие DC-DC преобразователи (в роли синхронного выпрямителя / ключа нижнего плеча)
  
• Привод двигателей и регулирование скорости (сильноточные H-мосты или трёхфазные инверторы для электроинструмента, дронов, роботов и т. д.)
  
• Защита батарей и коммутация нагрузки (в системах управления батареями или сильноточных цепях разряда)
  
• Различные системы управления питанием (эффективные источники питания для телекоммуникационного оборудования, вычислительных устройств, промышленной техники)
  

Технические параметры

• Типичное значение Rds(on) ~1,6 мОм (макс. ~2,0 мОм) при Vgs=10 В
  
• Типичное значение Rds(on) ~2,0 мОм при Vgs=4,5 В
  
• Длительный ток стока Id до +100 А и выше
  
• Рабочее напряжение 1,8 В ~ 3,6 В
  

Срок поставки
Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения информации о сроках поставки.