NCE6080K
低閘極電荷，極佳導通內阻，雪崩參數完整表徵，高 EAS，散熱佳
- 品牌： NCE
- 尺寸/封裝： TO-252-2L
- 參數： 60V
- VGS(th)： 2.8V
- ID： 80A
- 工作溫度： -55-175℃
- RDS(ON)@4.5V 典型值： /
- RDS(ON)@10V 典型值： 6mΩ
- 應用領域： 戶外儲能電源、UPS、微型光伏逆變器、大功率 DC-DC、調理機
- Parameters
- 品牌： NCE
- 尺寸/封裝： TO-252-2L
- 參數： 60V
- VGS(th)： 2.8V
- ID： 80A
- 工作溫度： -55-175℃
- RDS(ON)@4.5V 典型值： /
- RDS(ON)@10V 典型值： 6mΩ
- 應用領域： 戶外儲能電源、UPS、微型光伏逆變器、大功率 DC-DC、調理機
NCE6080K | 12-300V NMOS
產品介紹
NCE6080K 採用先進溝槽工藝與設計，在保持低閘極電荷的同時，可提供優異的 RDS(ON) 性能，適用於多種應用場景。
核心優勢
- 低閘極電荷，極佳導通內阻，雪崩電壓與電流參數經全面表徵，具備高 EAS，穩定性與均勻性良好，採用優質封裝，散熱性能良好；60V/80A，TO-252-2L；EAS=390mJ
關鍵特性
低導通損耗高密度溝槽單元設計，7mΩ 低 Rds(on)max，大電流工況導通損耗小、發熱低；
優異雪崩可靠性100% UIS 雪崩測試、100%ΔVds 測試，單脈衝雪崩能量 EAS=390mJ，感性負載電壓尖峰抗衝擊能力強，元件一致性高，降低炸管風險；
開關特性均衡總閘極電荷 Qg=90nC，在低 Rds(on) 的前提下閘極電荷控制合理，平衡導通損耗與開關損耗，適配 PWM 高頻工作；
封裝TO-252-2L 貼片封裝散熱性能好，適合板載大功率設計，無需額外加裝散熱器。
替代產品及原因
- ON:NTD5862N；
- Infineon:IRFR1018E；
- DIODES: DMTH6006SK3。替代原因：參數匹配，封裝相容，無需改版，可實現國產化降本
應用領域
電源
大功率快充頭、GaN 氮化鎵充電器、電源適配器、行動儲能電源；
鋰電與儲能
可攜式儲能、電動車輔助電源、BMS；
電機驅動
小型電動工具、直流風機、水泵、掃地機器人；
工業與工控
小型 UPS 電源、工業 DC-DC 模組、工業負載開關。
常見問題
Q: 此產品適用於哪些應用？
A: NCE6080K 設計用於工業、通訊、汽車和物聯網應用。如需特定應用建議，請聯繫 YQM。
Q: 是否提供樣品？
A: 是的，YQM ELECTRONICS 提供 NCE6080K 免費樣品供評估。請聯繫我們的銷售團隊以獲取快速交貨。
Q: 最小訂購量是多少？
A: MOQ 因型號而異。YQM 提供從原型到批量生產的靈活訂購。請聯繫我們獲取報價。
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