NCE65NF068T
體二極管Trr優異，低RDS(ON)，超低Qg，小型封裝
- 品牌： NCE
- 尺寸/封裝： TO-247-3L
- 參數： 650V
- VGS(th)： 4V
- ID： 45A
- 工作溫度： -55 -175℃
- RDS(ON)@4.5V 典型值： /
- RDS(ON)@10V 典型值： 60mΩ
- 應用領域： 電信基站電源
- Parameters
- 品牌： NCE
- 尺寸/封裝： TO-247-3L
- 參數： 650V
- VGS(th)： 4V
- ID： 45A
- 工作溫度： -55 -175℃
- RDS(ON)@4.5V 典型值： /
- RDS(ON)@10V 典型值： 60mΩ
- 應用領域： 電信基站電源
應用痛點與解決方案
NCE65NF068T 是 650V 超結 N 通道 MOSFET，面向大功率 PFC、LLC 與 DC-DC。針對 650V 設計的三個常見痛點：供貨風險、導通損耗、體二極體反向恢復。
- 痛點: 進口 650V 超結 MOS 交期長、成本高
方案: NCE65NF068T 為國產 650V 超結 MOS，60mΩ RDS(on)、45A ID，YQM 穩定供貨。 - 痛點: 大功率 PFC/LLC 發熱嚴重，需要加大散熱器
方案: 低 RDS(on) 與低 Qg（典型 65nC）降低導通/開關損耗，簡化散熱設計。 - 痛點: LLC/PFC 硬開關拓撲體二極體反向恢復差，電壓尖峰與 EMI 惡化
方案: 體二極體 trr/Qrr 優化，降低反向恢復損耗與電壓尖峰。
N溝道MOSFET | NCE65NF068T 650V
產品介紹
NCE65NF068T 是來自 NCE/新洁能. 60mΩ RDS(on), 45A ID TO-247-3L封裝。工作溫度：-55-175℃。
650V Super-Junction MOSFET。低RDS(on)、低柵極電荷、開關性能優化。適用於工業AC-DC SMPS、PFC與DC-DC應用。
核心優勢
- 先進Super-Junction技術： 60mΩ RDS(on) ——在開關應用中實現低導通損耗與高效率。
- 大電流能力： TO-247-3L封裝額定45A——針對需要緊湊佔位與強勁電流處理能力的功率密集型設計優化。
- 寬溫度範圍： 工作電壓從 -55 -175℃ ——適用於工業及惡劣環境應用。
- NCE品質： 採用先進工藝技術製造。100%可靠性測試。國產供應鏈成本優勢。
關鍵特性
VDS650V
RDS(on) 典型值60mΩ
ID Continuous45A
PackageTO-247-3L
Temperature-55 -175℃
TechnologySuper-Junction
BrandNCE/新洁能
ComplianceRoHS
Applications
電源轉換
DC-DC、SMPS、負載開關、電池保護
Industrial
電機驅動、PLC、自動化、儀表儀器
Automotive
BMS、DC-DC、車載娛樂、車身電子
智能家居
控制器、智能家電、物聯網設備
可再生能源
太陽能逆變器、儲能、UPS
通用
開關穩壓器、電源管理、電機控制
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