NCE90N800K
低導通電阻、超低閘極電荷、優化體二極體、100% 雪崩測試
- 品牌： NCE
- 尺寸/封裝： TO-252-2L
- 參數： 900V
- VGS(th)： 3~4V
- ID： 7A
- 工作溫度： -55-175℃
- RDS(ON)@4.5V 典型值： /
- RDS(ON)@10V 典型值： 700mΩ
- 應用領域： 微型逆變器、智慧電表、單相／三相電表、電磁爐、調理機、抽油煙機
- Parameters
- 品牌： NCE
- 尺寸/封裝： TO-252-2L
- 參數： 900V
- VGS(th)： 3~4V
- ID： 7A
- 工作溫度： -55-175℃
- RDS(ON)@4.5V 典型值： /
- RDS(ON)@10V 典型值： 700mΩ
- 應用領域： 微型逆變器、智慧電表、單相／三相電表、電磁爐、調理機、抽油煙機
NCE90N800K | 400-1700V NMOS
產品介紹
本元件採用先進的溝槽閘極超接面技術與設計，能夠在提供極低閘極電荷的同時，實現出色的導通電阻（RDS(ON)）。這款超接面 MOSFET 完全符合業界對 AC-DC 交換式電源（SMPS）在功率因數校正（PFC）、AC/DC 電源轉換以及工業電源應用方面的要求。
核心優勢
- 優化的體二極體反向恢復性能，低導通電阻、低導通損耗，超低的閘極電荷可降低驅動要求，100% 雪崩測試，小型封裝
關鍵特性
靜態導通損耗優異900V 高壓下最大導通電阻僅 800mΩ，同等 TO-252 封裝，導通損耗低，溫升表現好；
低閘極電荷總閘極電荷 Qg 僅 14.6nC，Qg 偏低，驅動損耗小，對 PFC、LLC 控制器驅動能力要求低；
體二極體專門優化優化體二極體反向恢復特性，trr 典型 200ns，Qrr=1.45μC，反向恢復電荷小，抑制反向恢復尖峰，降低震盪、EMI 雜訊，適合存在續流工況的 LLC 半橋、PFC 電路，減少二極體帶來的損耗與干擾；
元件魯棒性與可靠性100% 雪崩測試，具備單脈衝雪崩 Ias=1A 抗突波能力，電網突波、電感關斷異常工況下抗衝擊能力強，提升電源整機可靠性
替代產品及原因
- 替代: Infineon:IPD90R1K2C3；替代原因：參數匹配、封裝相容，無需改版，可實現國產化降低成本
應用領域
工業電源
不斷電系統 UPS、工業控制電源、工控設備輔助電源、通訊基地台電源、微型逆變器；
照明
定電流 LED 路燈、工業 LED 照明、戶外驅動；
消費類電源
桌上型適配器、大功率充電器、PC 桌上型電腦、抽油煙機、空氣清淨機、調理機
常見問題
Q: 此產品適用於哪些應用？
A: NCE90N800K 設計用於工業、通訊、汽車和物聯網應用。如需特定應用建議，請聯繫 YQM。
Q: 是否提供樣品？
A: 是的，YQM ELECTRONICS 提供 NCE90N800K 免費樣品供評估。請聯繫我們的銷售團隊以獲取快速交貨。
Q: 最小訂購量是多少？
A: MOQ 因型號而異。YQM 提供從原型到批量生產的靈活訂購。請聯繫我們獲取報價。
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