YQAG1116LX
是一款N 通道增強型功率 MOSFET,是專為高效率、高密度電源應用而設計的核心產品。
YQAG1116LX 採用先進的溝槽技術與最佳化的 N 通道 MOSFET 晶片設計,主要設計目標為實現超低導通電阻、優異的開關性能與更高的電源效率,特別適用於對效率與散熱管理要求嚴格的同步整流與開關電路。
主要特性
- 通道類型:N 通道。當閘極(G)相對於源極(S)施加正電壓時導通,適用於低側開關與同步整流。
- 極低導通電阻:Vgs=10V 時 Rds(on) 典型值約 1.6mΩ(最大值約 2.0mΩ);Vgs=4.5V 時維持約 2.0mΩ,降低導通損耗並提升系統效率。
- 高連續汲極電流:可承受+100A或更高(視 Tc 等測試條件而定),展現強大功率處理能力。
- 優異的開關特性:低閘極電荷與低導通/關斷時間,適用於高頻開關電源,有效降低開關損耗。
- 封裝:採用DFN5x6-8L或同級先進表面貼裝封裝。
主要應用領域
- 同步整流(AC-DC 適配器、伺服器電源、通訊電源等)
- DC-DC 降壓轉換器(作為同步整流管/低側開關)
- 馬達驅動與調速(電動工具、無人機、機器人等高電流 H 橋或三相逆變器)
- 電池保護與負載開關(電池管理系統或高電流放電迴路)
- 各類電源管理系統(通訊設備、運算裝置、工業設備的高效電源)
技術參數
- Rds(on) 典型值約 1.6mΩ(最大值約 2.0mΩ)@ Vgs=10V
- Rds(on) 典型值約 2.0mΩ @ Vgs=4.5V
- 連續汲極電流Id 最高 +100A或更高
- 1.8V ~ 3.6V 工作電壓
產品交期
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