出色RDS(on),低柵極電荷,柵極驅動下可靠工作
N溝道MOSFET | YQM30N06DF
YQM30N06DF 採用先進溝槽技術製造,提供出色的RDS(on)、低柵極電荷特性,支持低至4.5V柵極電壓下的正常工作。適用於電池保護、負載開關與UPS應用。
替代:安森美NTTFS5826NLTAG;Vishay SI7308DN-T1-E3;Nexperia BUK9M85-60EX。理由:參數匹配、封裝與針腳兼容。YQM版本供應有競爭力。
充電寶、充電器、筆記本、掃地機器人,
電動工具電池包、手持電源
UPS、開關電源、微電機控制
智能照明、電動窗簾、安防攝像

Copy product links
Long by picture save/share

